采用CSTBTTM矽片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區，傑出的短路魯棒性 最優的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 矽片最高結溫可達175°C 新型無焊接Al基闆，提供更高的溫度循環能力（DTc） 内部矽片分布均勻，Rth(j-c)低 内部封裝電感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分離，便于直流母排連接 多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接 内部集成NTC用于測量Tc溫度 P側和N側IGBT單元均有輔助集電極端子

采用最優化CSTBTTM矽片技術 有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結構 内部集成NTC測溫電阻 全系列共享同一封裝平台 耐功率循環和熱循環能力強 具有競争力的性價比 有條件接受客戶定制

采用CSTBTTM矽片技術 飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小 比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優化的封裝 内置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小 模塊内部寄生電感小 功率循環能力顯著改善

采用低損耗CSTBTTM矽片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加适合于并聯使用 額定電流定義比市場上同類産品高一個等級 外形尺寸與H系列IGBT完全兼容 内置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小 通過調整底闆和基闆間焊錫的厚度大大改善了溫度循環能力ΔTc 高功率循環能力

最新的CSTBTTM矽片技術帶來： 傑出的短路魯棒性 - 降低了栅極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝 良好的匹配液體冷卻 多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接 端子孔徑與安裝定位孔徑一緻 不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒