外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱爲電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱爲二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢複，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起着重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。
二極管的管壓降：矽二極管（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降爲0.3V，發光二極管正向管壓降會随不同發光顔色而不同。主要有三種顔色，具體壓降參考值如下：紅色發光二極管的壓降爲2.0--2.2V，黃色發光二極管的壓降爲1.8—2.0V，綠色發光二極管的壓降爲3.0—3.2V，正常發光時的額定電流約爲20mA。
在應用中有時雖然保證了栅極驅動電壓沒有超過栅極最大額定電壓，但栅極連線的寄生電感和栅極與集電極間的電容耦合，也會産生使氧化層損壞的振蕩電壓。爲此，通常采用雙絞線來傳送驅動信号，以減少寄生電感。在栅極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在栅極-發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則随着集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，栅極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。
在使用IGBT的場合，當栅極回路不正常或栅極回路損壞時(栅極處于開路狀态)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，爲防止此類故障，應在栅極與發射極之間串接一隻10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀态和擰緊程度。爲了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間塗抹導熱矽脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時将導緻IGBT模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時将報警或停止IGBT模塊工作 。
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