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英飛淩INFINEON IGBT

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BSM400GA1200N2FS_3256
FT150R12KE3G_B4
T1503N80TOH

IGBT 的伏安特性是指以栅源電壓Ugs 爲參變量時，漏極電流與栅極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受栅源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分爲飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀态下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區後，反向關斷電壓隻能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用範圍。IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與栅源電壓Ugs 之間的關系曲線。
T1980N22TOF
T3/T4系列